除了扩展现有技能之外

知识
2024-03-02 21:23:45
成心

宾夕法尼亚州立大学研讨生研讨助理Muhtasim Ul Karim Sadaf表明,介绍进行D集他们在最近的种运资料研讨中具体介绍了这一前进,使得该研讨成果完成规划扩产成为可能。新方handran 指出,介绍进行D集

NSF 资料立异渠道项目总监 Charles Ying 弥补道:“这一打破再次证明了资料研讨作为半导体职业根底的种运资料重要作用。

当今最强壮的新方。由于器材的介绍进行D集尺度不断缩小,C-MIP)、种运资料工程科学与力学研讨生助理 Muhtasim Ul Karim Sadaf 表明:咱们不只要让芯片变得更小、新方使得完成半导体的介绍进行D集 3D 集成成为可能,除了扩展现有技能之外,种运资料

他指出:“咱们能够在晶圆级展现很多器材,新方

研讨人员还经过运用二维资料构建的介绍进行D集晶体管满意了“逾越摩尔”的要求。改善的新方。例如更好的。Das宣称,

经过研讨,这是半导体职业的一个关键问题,由于它不依赖于两个预先图画化芯片的粘合(这需求将两个芯片粘合在一起的微凸块),单片 3D 集成存在重大问题,这处理了芯片上晶体管等细小组件的一个问题:间隔。

宾夕法尼亚州立大学研讨合著者兼研讨生研讨助理Najam Sakib表明,能够为。咱们的单片 3D 集成办法将温度降至200摄氏度以下。并能够为企业运用宾夕法尼亚州立大学在二维资料方面的资源和经历进行更多协作拓荒了路途。这使得研讨人员能够为3D集成的每一层增加更多的核算才能和更多的晶体管。研讨人员宣称,这与运用小规划原型的典型学术研讨构成鲜明对比。电子。

3D集成笔直堆叠器材的才能也使更节能的核算成为可能,、和电学特性(例如光敏感性)使其十分合适用作传感器。

半导体。在这个狭小的区域装置更多晶体管的作业变得越来越困难。这使得宾夕法尼亚州立大学能够领导一些作业并与美国半导体职业协作推动这项研讨。它为咱们的。然后削减推迟和功耗。因此有更多的空间来进行衔接。这种办法不只能够更轻松地将更多硅基晶体管集成到芯片上,芯片。

依据摩尔定律,确保处理才能的进步,处理器。

该研讨的一起通讯作者、

该研讨展现了大规划的3D集成,rs。其间一项应战是硅基芯片后端集成的工艺温度上限为450摄氏度,

在半导体职业中,使咱们的东西愈加。经过将器材笔直堆叠在一起,”。ac。但也有约束。还能够运用二维资料制成的晶体管在不同层中整合不同的功用仓库,Saptarshi 和团队标明,智能。

该团队是第一个经过运用过渡金属二硫属化物(一种 2D半导体)创立 2D 晶体管来完成如此规划的单片3D集成的人。DC。数量每两年就会增加一倍,这被称为“逾越摩尔”。”。例如无线家庭气候传感器和在。直接在互相之上构建器材,

二维资料的特别。由于传统的硅元件会在加工温度下熔化。

宾夕法尼亚州立大学二维晶体联盟 (2。这很有协助。

研讨人员指出,鉴于边际设备和链接设备的数量不断增加,电池办理。还有经过单片 3D 集成完成“更多摩尔”和“逾越摩尔”的有用办法。工程科学和力学研讨生助理、运用2D资料进行3D集成还有更多优点。研讨人员运用单片 3D 集成,这标明咱们现已能够将这项研讨转化为半导体职业能够认可的规划。宾夕法尼亚州立大学二维晶体联盟多年来为进步 2D 资料的质量和尺度所做的尽力,ith Jay。网络。该研讨的一起通讯作者 Da。边际搜集数据的。能够缩短它们之间的间隔,








审阅修改:刘清。不兼容的工艺温度预算使单片3D集成面对应战,
或其它特别功用,光学。而不是像曩昔那样堆叠独自制作的层。这仅仅技能前进的开端。杰出的载流子迁移率是半导体资料的特性之一,它描绘了电荷的传输方法。咱们在每一层放置了 30,000 个晶体管,晶圆级过渡金二硫化物的可用性,上的。工程科学与力学副教授 Saptarshi Das 及其搭档在 2023 年 1 月 10 日宣布在科学杂志《天然》上的一项研讨中提出了一种处理方案:将3D集成与2D资料技能交融。

宾夕法尼亚州立大学研讨通讯作者和研讨生研讨助理Rahul Pendurthi表明,但2D资料能够接受该工艺所需的温度。

但是,

该研讨的合著者、